성능
텔루르화 비스무트 분말은 전도성은 우수하지만 열전도도는 낮은 반도체 소재입니다. 텔루르화 비스무트 분말의 위험성은 낮지만, 다량 섭취 시 치명적인 위험을 초래할 수 있습니다. 이 소재는 실온에서 에너지 없이도 표면에서 전자를 이동시킬 수 있어 칩의 작동 속도를 높이고, 컴퓨터 칩의 작동 속도와 효율을 크게 향상시킬 수 있습니다.
순도: 4N-6N
형태: 분말, 과립, 블록
밀도: 7.8587g.cm3
에너지 갭: 0.145eV
분자량: 800.76
녹는점: 575℃
열전도도: 0.06 W/cmK
| 분자식 | 비스무트2테레3 |
| 순도(%, 최소) | 99.999 |
| 모양 | 검은 가루 |
| 불순물 | (ppm,최대) |
| Ag | 0.5 |
| Al | 0.5 |
| Co | 0.4 |
| Cu | 0.5 |
| Fe | 0.5 |
| Mn | 0.5 |
| Ni | 0.5 |
| Pb | 1.0 |
| Au | 0.5 |
| Zn | 0.5 |
| Mg | 1.0 |
| Cd | 0.4 |
| 입자 크기(메쉬) | 325 |
| 상표 | 에포크켐 |
P/N 접합을 형성하여 반도체 냉장, 열전 분말 생성 등에 사용됩니다.
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≤25kg: 결제 수령 후 3영업일 이내. ≥25kg: 1주일
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